• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Es ist eine Halbleitervorrichtung mit einem Grabenkondensator offenbart. Der Graben ist auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet. Ein erster Isolierfilm ist an der Seitenwand des Grabens ausgebildet und ein Halbleiterfilm ist im Graben vergraben. Der erste Isolierfilm und der im oberen Teil des Grabens angeordnete Halbleiterfilm werden geätzt und ein zweiter Isolierfilm wird an der freigelegten Seitenwand abgelagert. Der Halbleiterfilm und der erste Isolierfilm werden geätzt und eine Plattenelektrode wird an der freigelegten Seitenwand ausgebildet. Ein Kondensator-Isolierfilm wird an der Plattenelektrode ausgebildet und eine Speicherelektrode wird innerhalb des Grabens vergraben. Die Struktur stellt eine Halbleitervorrichtung mit weniger Speicherzellendefekten zur Verfügung.
    公开号:DE102004006028A1
    申请号:DE200410006028
    申请日:2004-02-06
    公开日:2004-08-26
    发明作者:Kiyotaka Miyano；Takashi Nakao；Shigehiko Saida
    申请人:Toshiba Corp；
    IPC主号:H01L27-108
    专利说明:
    [0001] Diese Anmeldung basiert auf und beanspruchtden Vorteil der Prioritätaus der früherenjapanischen Patentanmeldung Nr. P2003-030795, eingereicht am 7.Februar 2003; von welcher der gesamte Inhalt hierin durch Bezugnahmeenthalten ist.
    [0002] Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtungmit Grabenkondensatoren und ein Verfahren zum Herstellen der Grabenkondensatoren.
    [0003] In letzter Zeit sind Halbleitervorrichtungen alsSpeichervorrichtung füreine Informationsverarbeitungsvorrichtung entwickelt worden. Dadie Halbleitervorrichtung keine mechanisch angetriebenen Komponentenbzw. Bauteile hat, hat die Halbleitervorrichtung eine hohe Immunität gegenmechanische Stöße und eineZugriffsfähigkeithoher Geschwindigkeit. Solche Halbleitervorrichtungen enthaltenSpeicherzellen. Die Speicherzellen sind durch jüngste Entwicklungen auf demGebiet der Halbleitertechnologie kleiner gemacht worden, und zwarinsbesondere durch die Schrumpfungs-Entwicklungsregel. Das Schrumpfender Speicherzellen ist erforderlich geworden, um hochintegrierteHalbleitervorrichtungen hoher Dichte zu schaffen. Durch Verwendender feinen Verarbeitung bezüglichder besonderen Größe der Zellensind Probleme verursacht worden, die zu Speicher-Speicherungseigenschaftender Speicherzellen gehören.
    [0004] In einem dynamischen Direktzugriffsspeicher(DRAM) der Halbleitervorrichtung enthalten die Speicherzellen einenMOS(Metalloxidhalbleiter-)Transistor und einen Speicherkondensator,der in Reihe zum MOS-Transistor geschaltet ist. In einem DRAM hatdas Schrumpfen der Speicherzellen die Neigung, den Bereich zu reduzieren,und eine erniedrigte Kapazitätdes Kondensators. Es hat eine Möglichkeitgegeben, dass die erniedrigte Kapazität Probleme erzeugt, bei welchenin den Speicherzellen gespeicherte Daten fehlerhaft gelesen werden,und ein Softwarefehler kann auftreten, der dann veranlasst wird,wenn die in den Speicherzellen gespeicherten Daten durch Alphastrahlenbeschädigtwerden.
    [0005] Zum Lösen der obigen Probleme istes wichtig, die Kapazitätdes Kondensators selbst bei einem Schrumpfen der Speicherzelle nichtzu reduzieren. Um die Speicherkapazität des Kondensators nicht zu reduzieren,ist ein Graben, in welchem ein Kondensator ausgebildet ist, tiefergeätztworden, um den Bereich des Kondensators zu erhöhen. Jedoch ist es bei dergegenwärtigenHerstellungstechnologie schwierig geworden, den Graben tiefer zu ätzen. Darüber hinausist die Dicke des Isolierfilms des Kondensators dünner gemachtworden, um die erforderliche Speicherkapazität beizubehalten. Jedoch istes bei der gegenwärtigenHerstellungstechnologie auch schwierig geworden, die Dicke des Isolierfilmsdünnerzu machen. Es sind zwei Ansätzevorgeschlagen worden, wodurch die Speicherkapazität nichtreduziert wird: ein erster Ansatz, durch welchen ein Graben alsFlaschentypgraben ausgebildet wird; und ein zweiter Ansatz, durchwelchen eine Plattenelektrode durch Dotieren unter einer Dampfphasendiffusion ausgebildetwird. Jedoch hat es Fällegegeben, in welchen andere Speichercharakteristiken der Speicherzellendurch Verwenden der obigen Verfahren verschlechtert werden.
    [0006] Ein Aspekt der vorliegenden Erfindungenthälteine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispielender vorliegenden Erfindung. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstratmit einem ersten Leitfähigkeitstypund mit einer Seitenwand und einer Bodenfläche, die von der Seitenwand umgebenist, eine Plattenelektrode mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp,der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei diePlattenelektrode von der Bodenflächezur Seitenwand im Halbleitersubstrat vorgesehen ist, einen Kondensator-Isolierfilm,der an der Bodenflächeund der Seitenwand vorgesehen ist, einen Kragen-Oxidfilm, der ander Seitenwand vorgesehen ist, wobei ein ringförmiges unteres Ende des Kragen-Oxidfilmsin Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm ist und der Kragen-Oxidfilmin Kontakt mit der Plattenelektrode ist, eine Speicherelektrode, diean der Plattenelektrode und dem Kondensator-Isolierfilm vorgesehenist, wobei eine Höheeiner oberen Oberflächeder Speicherelektrode höherals eine Höheeines oberen Endes des Kragen-Oxidfilms ist, eine Kondensator-Extraktionselektrode,die am oberen Ende des Kragen-Oxidfilms und an der oberen Oberfläche derSpeicherelektrode vorgesehen ist, wobei die Kondensator-Extraktionselektrode elektrischan die Speicherelektrode angeschlossen ist und in Kontakt mit einemoberen Teil der Seitenwand ist, und einen vergrabenen Brückenbereich, derinnerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich des oberen Teils derSeitenwand vorgesehen ist, wobei der vergrabene Brückenbereichin Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist und elektrisch an die Kondensator-Extraktionselektrodeangeschlossen ist, wobei der vergrabene Brückenbereich den zweiten Leitfähigkeitstyphat.
    [0007] Ein weiterer Aspekt der vorliegendenErfindung enthältein Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators gemäß Ausführungsbeispielender vorliegenden Erfindung. Das Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensatorsenthältein Ausbilden eines Grabens auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstratsmit einem ersten Leitfähigkeitstyp,ein Ausbilden eines ersten Isolierfilms an einer Seitenwand desGrabens, ein Ablagern eines Halbleiterfilms im Graben auf dem erstenIsolierfilm, ein Ätzendes ersten Isolierfilms und des in einem oberen Teil des Kragensangeordneten Halbleiterfilms, ein Ablagern eines zweiten Isolierfilmsan einer freigelegten Seitenwand des Grabens, ein Ätzen desHalbleiterfilms, ein Ätzendes ersten Isolierfilms, ein Ausbilden einer Plattenelektrode eineszweiten Leitfähigkeitstyps,der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, an der freigelegtenSeitenwand des Kragens durch ein Dampfphasen-Diffusionsverfahren,ein Ausbilden eines Kondensator-Isolierfilms an der Plattenelektrode undein Vergraben einer Speicherelektrode im Kondensator-Isolierfilmund im zweiten Isolierfilm innerhalb des Grabens.
    [0008] 1 istein Querschnitt einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
    [0009] 2A–2T sind Querschnitte zumErklären vonSchritten zum Ausführeneines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem erstenAusführungsbeispiel;
    [0010] 3 isteine Kurve, die eine Beziehung zwischen einer Ätzrate von Silizium-Germaniumund einem Molteil von Germanium darstellt;
    [0011] 4 isteine Kurve, die eine Beziehung zwischen einer Kapazität einesGrabenkondensators und einer Spannung einer Speicherelektrode inder Halbleitervorrichtung gemäß dem erstenAusführungsbeispieldarstellt;
    [0012] 5 istein Querschnitt einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel; und
    [0013] 6A–6C sind Querschnitte zumErklären vonSchritten zum Ausführeneines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweitenAusführungsbeispiel.
    [0014] Verschiedene Ausführungsbeispiele der vorliegendenErfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.Es ist zu beachten, dass dieselben oder ähnliche Bezugszeichen auf dieselbenoder ähnlicheTeile und Elemente in den gesamten Zeichnungen angewendet werden unddie Beschreibung derselben oder von ähnlichen Teilen und Elementenweggelassen oder vereinfacht sein wird.
    [0015] Es sind zwei Ansätze durchgeführt worden, durchwelche die Kapazitätnicht reduziert wird. Jedoch ist gezeigt worden, dass die Speicherzellenkapazität in einigenFällenreduziert wird und andere Haltecharakteristiken verschlechtert werden,wenn die obigen Ansätzeverwendet werden.
    [0016] Es ist nun klar, dass eine Verschlechterung bezüglich derSpeicher-Speicherungscharakteristiken durch einen Defekt in einemvergrabenen Brückenbereicherzeugt wird, welcher elektrisch an eine Speicherelektrode des Kondensatorsangeschlossen ist, und einem Drainbereich eines Transistors beim Übergangzwischen dem vergrabenen Brückenbereichund dem Halbleitersubstrat. Aufgrund dieses Defekts wird ein Übergangs-Leckstromdurch den im vergrabenen Brückenbereicherzeugten Defekt erhöht.
    [0017] Der Kondensator enthält einenKragen-Oxidfilm, der die Plattenelektrode und die Speicherelektrodetrennt. Es ist bestimmt worden, dass ein Grund für eine Erzeugung des Defektsim vergrabenen Brückenbereichdarin besteht, dass eine normale Spannung an den Kragen-Oxidfilmin Bezug auf die Seitenwand des Kragens eine Kompressionsspannung ist.
    [0018] Ein Kragen-Isolierfilm wird durchein thermisches Oxidationsverfahren einer Lokaloxidation eines Silizium(LOCOS= Local Oxidation of Silicon)-Kragens aufgewachsen. Da der obigeKragen-Oxidfilm vor einer Ausbildung des Kondensators ausgebildetwird, könnendie obigen zwei Verfahren verwendet werden, d.h. das Verfahren,durch welches der Graben als Flaschentypgraben ausgebildet wird;und das Verfahren, durch welches die Plattenelektrode durch Dotierenunter einer Dampfphasendiffusion ausgebildet wird.
    [0019] Wenn der Kragen-Oxidfilm durch dasthermische Oxidationsverfahren aufgewachsen wird, wird die Seitenwanddes Grabens oxidiert. Das Volumen des durch Oxidation aufgewachsenenKragen-Oxidfilms ist größer alsdas Volumen des bei der Oxidation verwendeten Halbleitersubstrats.Darüberhinaus ist das Volumen des Kragen-Oxidfilms, der im Graben aufwachsenkann, kleiner als dasjenige des thermisch oxidierten Films, derauf einer flachen Oberflächedes Halbleitersubstrats aufwachsen kann. Dadurch wird eine Kompressionsspannunginnerhalb des Kragen-Oxidfilms erzeugt. Es ist bestimmt worden,dass eine Kompressionsspannung vom Kragen-Oxidfilm zum vergrabenenBrückenbereicherzeugt wird. Im vergrabenen Brückenbereichwird durch die obige Spannung ein Defekt erzeugt.
    [0020] Dann ist bestimmt worden, dass dieSpannung vom Kragen-Oxidfilm zum vergrabenen Brückenbereich verhindert werdensollte, um eine Erzeugung des Defekts zu verhindern. Das bedeutet,dass die Kompressionsspannung nicht innerhalb des Kragen-Oxidfilms erzeugtwerden sollte.
    [0021] Eine Halbleitervorrichtung gemäß einemersten Ausführungsbeispielder vorliegenden Erfindung umfasst eine Vielzahl von Speicherzellen.Jede der Speicherzellen umfasst den Kondensator und den MOS-Transistor,wie es in 1 gezeigtist. Jede Speicherzelle ist von einer anderen durch einen Isolierbereich 21 dazwischenisoliert.
    [0022] Der Speicherkondensator ist in einemGraben aus einem p-Typ-Silizium-(Si)-Substrat 1 angeordnet.Der Speicherkondensator enthälteine Plattenelektrode 12, einen Kondensator-Isolierfilm 13,einen Kragen-Oxidfilm 11, eine Speicherelektrode 15, eineKondensator-Extraktionselektrode 19 und einen vergrabenenBrückenbereich 17.
    [0023] Die Plattenelektrode 12 mitder Bodenfläche undder Seitenwand des Grabens ist innerhalb des Siliziumsubstrats 1 vorgesehen.Die Plattenelektrode 12 hat eine Leitfähigkeit vom n-Typ. Der Kondensator-Isolierfilm 13 istvon der Bodenflächezum oberen Teil der Seitenwand vorgesehen. Der Kondensator-Isolierfilm 13 istauf der Plattenelektrode 12 vorgesehen.
    [0024] Der Kragen-Oxidfilm 11 ist über derSeitenwand des Grabens vorgesehen, d.h. am oberen Teil des Grabens.Das ringförmigeuntere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ist in Kontakt mitdem Kondensator-Isolierfilm 13. Der Kragen-Oxidfilm 11 istauch in Kontakt mit der Plattenelektrode 12. Eine normale Spannungam Kragen-Oxidfilm 11 in Bezug auf die Seitenwand des Grabensist eine Zugspannung. Der Kragen-Oxidfilm 11 ist an derSeitenwand des Grabens vorzugsweise durch ein chemisches Dampfablagerungs-(CVD-)Verfahrenabgelagert.
    [0025] Die Speicherelektrode 15 istan dem Kondensator-Isolierfilm 13 vorgesehen. Die Höhe der oberenOberflächeder Speicherelektrode 15 ist höher als diejenige des oberenEndes des Kragen-Oxidfilms 11. Die Schnittstelle zwischender Speicherelektrode 15 und der Extraktionselektrode 19 stimmtnicht mit einer Ebene überein,auf welcher das untere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ein äußerer Randbzw. eine Außenkanteist. In der Speicherelektrode 15 ist die Breite an derSeitenwand in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 größer als diejenigean der Seitenwand in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11.
    [0026] Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 ist amoberen Ende des Kragen-Oxidfilms 11 und an der oberen Oberfläche derSpeicherelektrode 15 vorgesehen. Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 ist elektrischan die Speicherelektrode 15 angeschlossen. Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 istin Kontakt mit der oberen Oberflächeder Seitenwand des Kragens. Der vergrabene Brückenbereich 17 ist innerhalbdes Siliziumsubstrats 1 einschließlich der oberen Oberfläche derSeitenwand des Grabens vorgesehen. Der vergrabene Brückenbereich 17 istin Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11 und ist elektrisch andie Kondensator-Extraktionselektrode 19 angeschlossen.Der vergrabene Brückenbereich 17 hat eineLeitfähigkeitvom n-Typ.
    [0027] Der MOS-Transistor ist in der Nachbarschaft desGrabens im Siliziumsubstrat 1 angeordnet. Der MOS-Transistorumfasst einen Drainbereich 26, einen Gate-Isolierfilm 22,eine Gate-Elektrode 23 und einenSourcebereich 25.
    [0028] Der Drainbereich 26 istinnerhalb des Siliziumsubstrats 1 einschließlich deroberen Oberfläche desSubstrats 1 vorgesehen. Der Drainbereich 26 ist elektrischan den vergrabenen Brückenbereich 17 angeschlossen.Der Drainbereich 26 hat eine n-Typ-Leitfähigkeit.Der Gate-Isolierfilm 22 ist auf der oberen Oberfläche desSiliziumsubstrats 1 vorgesehen. Die Gate-Elektrode 23 istauf dem Gate-Isolierfilm 22 und über dem Drainbereich 26 vorgesehen. DerSourcebereich 25 ist unter dem Gate-Isolierfilm 22,unter der Gate-Elektrode 23 und getrennt vom Drainbereich 26 innerhalbdes Siliziumsubstrats 1 einschließlich der oberen Oberfläche desSubstrats 1 vorgesehen. Der Sourcebereich 25 hateine n-Typ-Leitfähigkeit.
    [0029] Zusätzlich enthält die Halbleitervorrichtung einenKontaktstecker 30, der auf dem Sourcebereich 25 vorgesehen ist,und eine Bitleitung 31, die elektrisch an den Sourcebereich 25 angeschlossenist. Die Bitleitung 31 ist auf einem Zwischenpegelisolator 29 vorgesehen.Die Gate-Elektrode 23 und der Kontaktstecker 30 sindvoneinander mit einem Siliziumnitridfilm 24 und Seitenwänden 27, 28 isoliert.Der Isolationsbereich 21 ist auf der Kondensator-Extraktionselektrode 19 vorgesehen.
    [0030] In Bezug auf die Halbleitervorrichtunggemäß dem erstenAusführungsbeispielwerden im Wesentlichen keine Defekte im vergrabenen Brückenbereich 17 erzeugt,weil die normale Spannung an dem Kragen-Oxidfilm 11 inBezug auf die Seitenwand des Grabens keine Kompressionsspannungist. Während esmöglichist, dass keine Spannung von irgendeinem Typ induziert wird, kannes Fällegeben, in welchen nur ein kleines Ausmaß einer Zugspannung induziertwird. Hier ist es offensichtlich, dass selbst dann, wenn eine normaleSpannung eine Kompressionsspannung ist, die Spannung so klein seinkann, dass kein Defekt erzeugt wird. Zum Reduzieren der Intensität der normalenSpannung und zum weiteren Machen der Spannung zu einer Zugspannungist nur erforderlich, dass der Kragen-Oxidfilm 11 an derSeitenwand des Grabens vorgesehen wird, und zwar nicht durch dasthermische Oxidationsverfahren, sondern durch eine chemische Dampfablagerung, wiees oben beschrieben ist.
    [0031] Darüber hinaus existiert in Bezugauf die Speicherelektrode 15 keine Schnittstelle mit einer Ebene,an welcher das untere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ein äußerer Randist. Dadurch ist es offensichtlich, dass die Speicherelektrode 15 zueiner Zeit mit Bereichen in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 unddem Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet wird. Ein natürlicherOxidationsfilm wird nicht auf der Oberfläche des Bereichs in Kontaktmit dem Kondensator-Isolierfilm 13 ausgebildet und einnatürlicherOxidationsfilm wird nicht an der Schnittstelle zwischen dem Bereichin Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 und dem Bereichin Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet. Dadurchkann ein parasitärerWiderstand des Speicherkondensators reduziert werden.
    [0032] Weiterhin können die Schreib- und Lesegeschwindigkeitenvon Daten in den Speicherzellen erhöht werden.
    [0033] Wie es oben erklärt ist, kann die Halbleitervorrichtung,bei welcher die Datenhaltecharakteristiken nicht verschlechtertsind, selbst bei einem Schrumpfen der Speicherzellen zur Verfügung gestelltwerden.
    [0034] Nun wird ein Verfahren zum Herstellender Halbleitervorrichtung gemäß dem erstenAusführungsbeispielder vorliegenden Erfindung erklärt.Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung enthält ein Verfahrenzum Ausbilden eines Grabenkondensators. Zuallererst wird das Verfahrenzum Ausbilden des Grabenkondensators ausgeführt. (a)Ein thermisch oxidierter Film 2 wird auf dem p-Typ-Siliziumsubstrat 1 aufgewachsen.Ein Siliziumnitridfilm 3 und ein Siliziumoxidfilm 4 werden aufdem thermisch oxidierten Film 2 durch das CVD-Verfahrenabgelagert. Wie es in 2A gezeigtist, wird unter Verwendung einer Fotolithografietechnik ein Graben 5 beieiner Position ausgebildet, bei welcher ein Grabenkondensator ausgebildetwird. (b) Wie es in 2B gezeigtist, wird ein anisotropes Ätzendes Siliziumsubstrats 1 zum Ausbilden eines Grabens 6 unterVerwendung des thermisch oxidierten Films 2, des Siliziumnitridfilms 3 und desSiliziumoxidfilms 4 als Maske ausgeführt. (c) Ein Siliziumnitridfilm 7 wird an den Seitenwänden derGräben 5, 6 undam Siliziumoxidfilm 4 durch das CVD-Verfahren abgelagert.Die Filmdicke des Siliziumnitridfilms 7 wurde auf 5 nmeingestellt. Wie es in 2C gezeigtist, wird ein Teil eines Silizium-Germanium-(SiGe-)Films 9 inden Gräben 5, 6 alsvergrabene Dummyschicht zur Aberlagerung des Kragen-Oxidfilms durch das CVD-Verfahrenvergraben. Ein weiterer Teil des Silizium-Germanium-Films 9 wirdauf dem Siliziumnitridfilm 7 über dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet.Wenn der Silizium-Germanium-Film 9 abgelagert wurde, wurdenMonosilan (SiH4) und Monogerman (GeH4) als Quellengas bzw. Ursprungsgas verwendet.Die Flussraten von Monosilan und Monogerman bei der Ausbildung waren jeweils250 sccm und 500 sccm. Der Ablagerungsdruck in einem Reaktor war133 Pa. Die Ablagerungstemperatur für das Siliziumsubstrat 1 warbei der Ausbildung 450 Grad Celsius. (d) Wie es in 2D gezeigtist, wird der obere Teil des Silizium-Germanium-Films 9 durchein chemisches Trockenätz(CDE-)Verfahrengeätzt undwird der Silizium-Germanium-Film 9 nur im unteren Teildes Grabens 6 gelassen. Wie es in 2E gezeigt ist, wird der freigelegteSiliziumnitridfilm 7 geätztund entfernt. (e) Wie es in 2F gezeigtist, wird ein Siliziumoxidfilm 11 für einen Kragen-Oxidfilm anden freigelegten Seitenwändender Gräben 5, 6 durch dasCVD-Verfahren abgelagert. Darüberhinaus wurde auch der Siliziumoxidfilm 11 auf dem Siliziumoxidfilm 4 abgelagert.Der Siliziumoxidfilm 11 war ein TEOS-Oxidfilm, und dieFilmdicke des Films 11 wurde auf 20 nm eingestellt. EinNiederdruck-CVD-(LPCVD-)Verfahren kann verwendet werden, um einenormale Spannung an dem Kragen-Oxidfilm 11 inBezug auf die Seitenwand des Grabens 6 derart einzustellen,dass sie eine Zugspannung ist. Die durch das LPCVD-Verfahren erzeugteSpannung ist kleiner als diejenige, die durch das Oxidationsverfahrenerzeugt wird. Darüberhinaus kann eine Steuerung der Spannung durch Ändern der Ablagerungstemperaturerreicht werden. (f) Wie es in 2G gezeigtist, wird der Kragen-Oxidfilm 11, der an der Bodenfläche desGrabens 6 und am Siliziumoxidfilm 4 abgelagertist, durch ein anisotropes Ätzenunter einem reaktiven Ionenätzen(RIE) geätztund entfernt. Der Kragen-Oxidfilm 11 bleibt nur an denSeitenwändender Gräben 5, 6.Der Silizium-Germanium-Film 9 wird freigelegt. (g) Wie es in 2H gezeigtist, wird der Silizium-Germanium-Film 9,der im unteren Teil des Grabens 6 zurückbleibt, mit einem Ätzmitteleinschließlicheiner Wasserstoffperoxidlösung(H2O2) geätzt. Wiees in 3 gezeigt ist,kann ein größerer Molteilvon Germanium (Ge) in Silizium-Germanium veranlassen, dass sichdie Ätzrateerhöht.Andererseits scheint es so zu sein, dass das Siliziumsubstrat 1,der Siliziumoxidfilm 4, der Siliziumoxidfilm 11 undder Siliziumnitridfilm 7 im Wesentlichen nicht durch ein Ätzmitteleinschließlicheiner Wasserstoffperoxidlösunggeätztwerden. Dadurch kann der Silizium-Germanium-Film 9 durchVerwenden eines Ätzmittelseinschließlich derWasserstoffperoxidlösungohne Ätzendes Siliziumsubstrats 1, des Siliziumoxidfilms 4,des Siliziumoxidfilms 11 und des Siliziumnitridfilms 7 entferntwerden. Hier ist, wie es in 3 gezeigt ist,die Neigung der Ätzratebei einem Molteil von Germanium von weniger als 50% kleiner alsdiejenige in dem Fall, in welchem der Molteil gleich oder größer als50 ist. Dadurch kann die Ätzrate vonSilizium-Germanium auf einfache Weise durch Bereitstellen des Molteilsvon Germanium gleich oder größer als50% erhöhtwerden. Wie es in 2I gezeigtist, wird der Siliziumnitridfilm 7 durch Ätzen entfernt. (h) Wie es in 2J gezeigtist, wird die Seitenwand des Grabens 6 mit einer verdünnten Wasserstoffluorid-Salpetersäuremischung(HF-HNO3) unter Verwendung des Kragen-Oxidfilms 11 als Maskegeätzt.Wie es in 2K gezeigtist, wird eine n-Typ-Diffusionsschicht, die die Plattenelektrode12 wird, an der freigelegten Seitenwand des Grabens 5 durcheine Dampfphasendiffusion ausgebildet. Wie es in 2L gezeigt ist, wird der Kondensator-Isolierfilm 13 aufder Plattenelektrode 12 ausgebildet. Ein Oxynitrid-Siliziumfilmwurde als der Kondensator-Isolierfilm 13 ausgebildet. (i) Wie es in 2M gezeigtist, werden n-Typ-Polysiliziumsäulen inden Gräben 5, 6 aufdem Kondensator-Isolierfilm 13 unddem Graben-Oxidfilm 11 als die Speicherelektrode 15 vergraben.Ein n-Typ-Siliziumfilm 14 wird auf dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet.Eine Leerstelle 16 wird in der Speicherelektrode 15 erzeugt.Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit der Plattenelektrode 12 undder Speicherelektrode 15 als Anschlüsse beendet. (j) Das Substrat wird bis zu der Höhe der oberen Oberfläche desSiliziumnitridfilms 3 rückgeätzt, wiees in 2N gezeigt ist.Wie es in 2O gezeigtist, wird der obere Teil der Speicherelektrode 15 so geätzt, dassdie Höheder oberen Oberflächeder Speicherelektrode 15 niedriger als diejenige der Oberfläche desSiliziumsubstrats 1 ist. Wie es in 2P gezeigt ist, wird das obere Ende desKragen-Oxidfilms 11 sogeätzt,dass die Höhe desoberen Endes des Kragen-Oxidfilms 11 niedriger als diejenigeder oberen Oberflächeder Speicherelektrode 15 ist. Das Siliziumsubstrat 1 wirdzur Seitenwand des Grabens 6 freigelegt. N-Typ-Diffusionsschichten,die die vergrabenen Brückenbereiche 17, 18 werden,werden auf dem durch das Dampfphasendiffusionsverfahren freigelegtenSiliziumsubstrat 1 ausgebildet. Wie es in 2Q gezeigt ist, wird die Kondensator-Extraktionselektrode 19 inKontakt mit der Speicherelektrode 15 und dem vergrabenenBrückenbereich 17im Graben 6 durch Ablagern und Rückätzen eines n-Typ-Polysiliziumfilmsvergraben. Dadurch wird eine Ausbildung eines Grabenkondensators mitder Kondensator-Extraktionselektrode 19 und derPlattenelektrode 12 als Anschlüsse beendet. Der gesamte Kragenkondensator,der ausgebildet worden ist, wird bei einer niedrigeren Positionals derjenigen der Oberflächedes Siliziumsubstrats 1 angeordnet. (k) Zusätzlichwird ein Graben 20 auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet,wie es in 2R gezeigt.Ein Silizium-Isolierfilmwird auf dem Substrat 1 abgelagert, und der Isolationsbereich 21 wird aufdem Substrat 1 nach einem Rückätzen ausgebildet, wie es in 2S gezeigt ist. Der Siliziumoxidfilm 2 wirdgeätzt,um einen Siliziumoxidfilm, der der Gate-Isolierfilm 22 wird,auf dem freigelegten Siliziumsubstrat 1 auszubilden. Einn-Typ-Polysiliziumfilm 23 und ein Siliziumnitridfilm 24 werdenauf dem Substrat 1 abgelagert, um die Filme 23, 24 inein Muster der Gate-Elektrode 23 zu ätzen. EineIonenimplantation wird unter Verwendung des Siliziumnitridfilms 24 alsMaske durchgeführt,um den Drainbereich 26 und den Sourcebereich 25 auszubilden.Dadurch wird eine Ausbildung des MOS-Transistors beendet. (l) Wie es in 2T gezeigtist, wird ein Siliziumnitridfilm, der zu den Seitenwänden 27, 28 wird, anden Seitenwändendes n-Typ-Polysiliziumfilms 23 und des Siliziumnitridfilms 24 ausgebildet.Der Schichten-Isolierfilm 29 wird auf dem MOS-Transistorund dem Isolationsbereich 21 ausgebildet. Ein Kontaktlochwird an dem Sourcebereich 25 geöffnet. Ein Kontaktstecker 30 wirdim Kontaktloch vergraben. Wie es in 1 gezeigtist, wird eine Bitleitung 31 auf dem Schichten-Isolierfilm 29 unddem Kontaktstecker 30 ausgebildet. Dadurch wird eine Ausbildungeiner Halbleitervorrichtung mit dem Grabenkondensator beendet. DasVerfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators ist zur Verfügung gestellt,wobei eine Verschlechterung bezüglichder Speicher-Speicherungscharakteristiken selbst unter einer Verarbeitungeiner feineren Linie der Speicherzellen verhindert wird.
    [0035] Das Dampfphasendiffusionsverfahrenkann auf eine Störstellendiffusionin der Seitenwand des Grabens 6 zum Ausbilden der Plattenelektrode 12 beimVerwenden des Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtunggemäß dem erstenAusführungsbeispielangewendet werden. Dadurch kann eine Diffusionsschicht mit einerhöherenKonzentration von Störstellenim Vergleich mit derjenigen eines Festphasendiffusionsverfahrensunter Verwendung von herkömmlichenArsen-Silikatglas (AsSG) ausgebildet werden. Eine effektive Filmdickedes Kondensator-Isolierfilms 13 kann reduziert werden.Die Kapazitätdes Grabenkondensators kann um einen Faktor von 1,5 erhöht werden,wie es in 4 gezeigtist. Darüberhinaus kann die Herstellungszeit der Halbleitervorrichtung erniedrigtwerden, weil das Festphasendiffusionsverfahren, welches eine längere Verarbeitungszeiterfordert, weggelassen werden kann.
    [0036] Darüber hinaus ist es bei herkömmlichen Verfahrenerforderlich gewesen, ein Vergraben und ein Ätzen zweimal zu wiederholen,um die Speicherelektrode 15 im Graben 6 auszubilden.Dadurch ist eine Schnittstelle des natürlichen Oxidationsfilms erzeugtworden, die die Speicherelektrode 15 in zwei Abschnitteunterteilt. Beim Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtunggemäß dem erstenAusführungsbeispielwerden ein Vergraben und ein Ätzen nureinmal ausgeführt,um die Speicherelektrode 15 auszubilden. Demgemäß gibt eskeine Schnittstelle aus dem natürlichenOxidationsfilm, welche die Speicherelektrode 15 unterteilt.Ein elektrischer Widerstand der Speicherelektrode 15 kannbeim ersten Ausführungsbeispielim Vergleich mit demjenigen eines herkömmlichen Beispiels erniedrigtwerden.
    [0037] Beim ersten Ausführungsbeispiel ist Silizium-Germaniumim Graben 6 vergraben worden, um das Silizium-Germaniummit der Wasserstoffperoxidlösungnach einem Ausbilden des Kragen-Oxidfilms 11 zuentfernen. Die Erfindung ist nicht auf das obige Ausführungsbeispielbeschränkt.Anstelle vom Silizium-Germaniumkann amorphes Silizium (Si) verwendet werden. Eine vermischte Lösung ausHydrofluorsäure-Salpetersäure-Essigsäure kannals Ätzmittel desamorphen Siliziums verwendet werden. Darüber hinaus kann das amorpheSilizium mit einem chlorhaltigen Gas, wie beispielsweise Chlor-Trifluorid (CIF3) und Hydrochlorsäure (HCl) geätzt werden.
    [0038] Beim ersten Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterfilm,wie beispielsweise ein Silizium-Germanium-Film und ein amorpherSiliziumfilm, ausgebildet und wird der Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet, undzwar unter Verwendung des Halbleiterfilms als Dummy-Speicherelektrode.Dann wird der Halbleiterfilm unter Verwendung des Kragen-Oxidfilms 11 als Maskeentfernt. Der Halbleiterfilm wird verwendet, weil ein selektives Ätzen desSiliziumoxidfilms und des Siliziumnitridfilms ausgeführt werdenkann und der Halbleiterfilm bei den Ablagerungstemperaturen desSiliziumoxidfilms und des Siliziumnitridfilms stabil existiert.Hier ist es weiterhin vorteilhaft, dass ein Ätzmittel existiert, was gleichdem Fall des Silizium-Germaniums ist, so dass ein selektives Ätzen des Halbleiterfilmsund des Siliziumsubstrats 1 durchgeführt werden kann.
    [0039] Die Halbleitervorrichtung einschließlich der Speicherzellenkönnenein DRAM sein, oder ein System-LSI, bei welchem ein DRAM als eineMegazelle installiert ist.
    [0040] Eine Halbleitervorrichtung gemäß dem zweitenAusführungsbeispielder vorliegenden Erfindung hat einen strukturell anderen Kondensatorgegenüberdemjenigen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispielder 1, wie es in 5 gezeigt ist. Die Halbleitervorrichtunggemäß dem zweitenAusführungsbeispielhat Unregelmäßigkeitenan der Bodenflächeund an der Seite eines Grabens eines Siliziumsubstrats 1.Ein unregelmäßiger Siliziumfilm 32 istauf der Oberflächeeiner Plattenelektrode 12 vorgesehen. Ein hemisphärischer gekrümmter (HSG= hemispherical grained) Polysiliziumfilm, ein rauer Polysiliziumfilmund ähnliches wurdenfür denunregelmäßigen Siliziumfilm 32 verwendet.Ein Kondensator-Isolierfilm 33 ist auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32 vorgesehen.Die Filmdicke des Kondensator-Isolierfilms ist ausreichend dünner imVergleich mit dem Unterschied zwischen den höchsten und niedrigsten Stellenauf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32.Eine Speicherelektrode 35 ist auf der Oberfläche desKondensator-Isolierfilms 33 vorgesehen.
    [0041] Dadurch kann der Oberflächenbereich,auf welchem der Kondensator-Isolierfilm 33 in Kontakt mitdem unregelmäßigen Silizium 32 ist,im Vergleich mit einem Fall erhöhtwerden, in welchem der Siliziumfilm 32 nicht unregelmäßig ist.Darüberhinaus kann der Oberflächenbereich,auf welchem der Kondensator-Isolierfilm 33 in Kontakt mitder Speicherelektrode 35 ist, im Vergleich mit einem Fallerhöht werden,in welchem der Siliziumfilm 32 nicht unregelmäßig ist.Die Kapazitäteines Grabenkondensators kann im Vergleich mit derjenigen des GrabenkondensatorsC der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispielweiter erhöhtwerden.
    [0042] Nun wird ein Verfahren zum Herstellender Halbleitervorrichtung gemäß dem zweitenAusführungsbeispielder Erfindung erklärt.Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweitenAusführungsbeispielenthältdas Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators C. Das Verfahrenzum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispielund dasjenige gemäß dem erstenAusführungsbeispielsind voneinander bezüglichdes Verfahrens zum Ausbilden des Grabenkondensators C unterschiedlich.Folglich wird das Verfahren zum Ausbilden des GrabenkondensatorsC erklärtwerden. (a) Zuallererst wird das Verfahrenzum Ausbilden des Grabenkondensators C gemäß dem ersten Ausführungsbeispielbis zum Schritt der 2I ausgeführt. (b) Dann wird der unregelmäßige Siliziumfilm 32 aufder Oberflächedes freigelegten Siliziumsubstrats 1 innerhalb eines Grabens 6 ausgebildet,wie es in 6A gezeigtist. Der HSG-Polysiliziumfilm oder der raue Polysiliziumfilm wirdauf der Oberflächedes freigelegten Siliziumsubstrats 1 durch ein selektivesCVD-Verfahren abgelagert. (c) Wie es in 6B gezeigtist, wird ein Dotierungsmittel in den unregelmäßigen Siliziumfilm 32 unddas Siliziumsubstrat 1 durch das Dampfphasendiffusionsverfahrenunter Verwendung eines Kragen-Oxidfilms 11 als Maske diffundiert.Eine n-Typ-Diffusionsschicht wird auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32 ausgebildet.Eine n-Typ-Diffusionsschicht,die die Plattenelektrode 12 wird, wird auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet.Der Kondensator-Isolierfilm 33 wirdauf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32,dem Kragen-Oxidfilm 11 und einem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet.Ein Siliziumnitridfilm wird durch das CVD-Verfahren ausgebildet und wird oxidiert,um einen gestapelten Film aus Siliziumoxid/Siliziumnitrid als Kondensator-Isolierfilm 13 auszubilden. (d) Eine n-Polysiliziumsäulewird als die Speicherelektrode 35 in den Gräben 5, 6 aufdem Kondensator-Isolierfilm 33 vergraben, wie es in 6C gezeigt ist. Ein n-Typ-Siliziumfilm 34 wirdauf dem Kondensator-Isolierfilm 33 über dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet.Eine Leerstelle 36 wird in der Speicherelektrode 35 erzeugt.Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit der Plattenelektrode 12 undder Speicherelektrode 35 als Anschlüsse beendet.
    [0043] Nachfolgende Schritte für das Verfahrenzum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispielwerden ab dem Schritt der 2N für das Verfahrenzum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispielausgeführt.Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit einer Kondensator-Extraktionselektrode 19 undder Plattenelektrode 12 als Anschlüsse beendet und wird eine Ausbildung derHalbleitervorrichtung mit einem MOS-Transistor und dem Grabenkondensator,wie er in 5 gezeigt ist,beendet.
    [0044] Die Erfindung ist nicht auf die obigenersten und zweiten Ausführungsbeispielebeschränkt.Obwohl die obigen Erklärungenfür dieVerwendung des Siliziumsubstrats 1 galten, ist es nur erforderlich, dassdas Siliziumsubstrat 1 ein Halbleitersubstrat ist. DasHalbleitersubstrat kann eine Siliziumschicht aus einem Substratmit Silizium auf einem Isolator (SOI = Silicon On Insulator) oderein Silizium-Germanium-(SiGe-)Mischkristall,ein Silizium-Germanium-Carbid-(SiGeC-)Mischkristallund ähnlichessein. Die Erfindung kann durch verschiedene Modifikationen ausgeführt werden,ohne von den Stellen der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
    [0045] Die vorliegende Erfindung kann inanderen spezifischen Formen ausgeführt werden, ohne vom Sinngehaltoder von wesentlichen Eigenschaften von ihr abzuweichen. Die Ausführungsbeispielesind daher bezüglichaller Aspekte als illustrativ und nicht als beschränkend zubetrachten, wobei der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung eherdurch die beigefügtenAnsprücheals durch die vorangehende Beschreibung gezeigt ist und alle Änderungen,die in die Bedeutung und den Bereich einer Äquivalenz der Ansprüche gelangen,sollen daher darin umfasst sein.
    权利要求:
    Claims (17)
    [1] Halbleitervorrichtung, die folgendes aufweist: einHalbleitersubstrat mit einem ersten Leitfähigkeitstyp und mit einer Seitenwandund einer von der Seitenwand umgebenen Bodenfläche; eine Plattenelektrodemit einem zweiten Leitfähigkeitstyp,der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei diePlattenelektrode von der Bodenflächezur Seitenwand im Halbleitersubstrat vorgesehen ist, einenKondensator-Isolierfilm, der auf der Bodenfläche und der Seitenwand vorgesehenist; einen Kragen-Oxidfilm, der an der Seitenwand vorgesehenist, wobei ein ringförmigesunteres Ende des Kragen-Oxidfilms in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm ist undder Kragen-Oxidfilm in Kontakt mit der Plattenelektrode ist; eineSpeicherelektrode, die auf der Plattenelektrode und dem Kondensator-Isolierfilmvorgesehen ist, wobei ein Höheeiner oberen Oberflächeder Speicherelektrode höherals eine Höheeines oberen Endes des Kragen-Oxidfilms ist; eine Kondensator-Extraktionselektrode,die am oberen Ende des Kragen-Oxidfilms und an der oberen Oberfläche derSpeicherelektrode vorgesehen ist, wobei die Kondensator-Extraktionselektrodeelektrisch an die Speicherelektrode angeschlossen und in Kontaktmit einem oberen Teil der Seitenwand ist; und einen vergrabenenBrückenbereich,der innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich des oberen Teils derSeitenwand vorgesehen ist, wobei der vergrabene Brückenbereichin Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist und elektrisch an die Kondensator-Extraktionselektrode angeschlossenist, wobei der vergrabene Brückenbereichden zweiten Leitungstyp hat.
    [2] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei einenormale Spannung am Kragen-Oxidfilm in Bezug auf die Seitenwandeine Zugspannung ist.
    [3] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei derKragen-Oxidfilman der Seitenwand durch eine Ablagerung vorgesehen ist.
    [4] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei derKragen-Oxidfilman der Seitenwand durch ein chemisches Dampfablagerungs-(CVD-)Verfahren vorgesehenist.
    [5] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eineHöhe einerSchnittstelle zwischen der Speicherelektrode und der Kondensator-Extraktionselektrode höher alsdiejenige einer Ebene ist, an welcher ein unteres Ende des Kragen-Oxidfilms ein äußerer Randist.
    [6] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhinfolgendes aufweist: einen Isolationsbereich, der an der Kondensator-Extraktionselektrodevorgesehen ist; einen Drainbereich, der innerhalb des Halbleitersubstratseinschließlicheiner oberen Oberflächedes Halbleitersubstrats vorgesehen ist, wobei der Drainbereich elektrischan den vergrabenen Brückenbereichangeschlossen ist und den zweiten Leitungstyp hat; einen Gate-Isolierfilm,der auf der oberen Oberfläche desHalbleitersubstrats vorgesehen ist; eine Gate-Elektrode, dieauf dem Gate-Isolierfilm und überdem Drainbereich vorgesehen ist; einen Sourcebereich, der unterdem Gate-Isolierfilm unter der Gate-Elektrode und getrennt vom Drainbereichinnerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich der oberen Oberfläche desHalbleitersubstrats vorgesehen ist, wobei der Sourcebereich denzweiten Leitungstyp hat; und eine Bitleitung, die elektrisch an denSourcebereich angeschlossen ist.
    [7] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei in derSpeicherelektrode eine Breite an einer Seitenwand in Kontakt mitdem Kondensator-Isolierfilm größer alsdiejenige an einer Seitenwand in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist.
    [8] Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhinfolgendes aufweist: Unregelmäßigkeiten, diean der Bodenflächeund an der Seitenwand des Halbleitersubstrats vorgesehen sind.
    [9] Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators,das folgendes aufweist: Ausbilden eines Grabens auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstratsmit einem ersten Leitungstyp; Ausbilden eines ersten Isolierfilmsan einer Seitenwand des Grabens; Vergraben eines Halbleiterfilmsim Graben auf dem ersten Isolierfilm; Ätzen des ersten Isolierfilmsund des in einem oberen Teil des Grabens angeordneten Halbleiterfilm; Ablagerneines zweiten Isolierfilm an einer freigelegten Seitenwand des Grabens; Ätzen desHalbleiterfilms; Ätzendes ersten Isolierfilms; Ausbilden einer Plattenelektrode eineszweiten Leitfähigkeitstyps,der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, an der freigelegtenSeitenwand des Grabens durch ein Dampfphasendiffusionsverfahren; Ausbildeneines Kondensator-Isolierfilms auf der Plattenelektrode; und Vergrabeneiner Speicherelektrode in dem Kondensator-Isolierfilm und in dem zweiten Isolierfilminnerhalb des Grabens.
    [10] Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendesaufweist: Ätzeneines oberen Teils der Speicherelektrode und eines oberen Teilsdes zweiten Isolierfilms; Ausbilden eines vergrabenen Brückenbereichsmit dem zweiten Leitfähigkeitstypin der freigelegten Seitenwand des Grabens; und Vergraben einerKondensator-Extraktionselektrode auf der Speicherelektrode und aufdem vergrabenen Brückenbereichim Graben.
    [11] Verfahren nach Anspruch 9, wobei der erste Isolierfilmein Siliziumnitridfilm ist und der zweite Isolierfilm ein Siliziumoxidfilmist.
    [12] Verfahren nach Anspruch 9, wobei der zweite Isolierfilmdurch ein CVD-Verfahren abgelagert wird.
    [13] Verfahren nach Anspruch 9, wobei der HalbleiterfilmSilizium-Germanium (SiGe) ist.
    [14] Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Molteil vonGermanium (Ge) im Silizium-Germanium-Film gleich oder größer als50% ist.
    [15] Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Ätzmittel,das beim Ätzendes Halbleiterfilms verwendet wird, Wasserstoffperoxid (H2O2) enthält.
    [16] Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendesaufweist: Ätzender freigelegten Seitenwand des Grabens nach einem Ätzen desersten Isolierfilms und vor einem Ausbilden der Plattenelektrode.
    [17] Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendesaufweist: Ausbilden von Unregelmäßigkeiten ander freigelegten Seitenwand des Grabens nach einem Ätzen desersten Isolierfilms und vor einem Ausbilden der Plattenelektrode.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US8330246B2|2012-12-11|Intermediate structures for forming circuits
    US8987834B2|2015-03-24|Methods of providing electrical isolation and semiconductor structures including same
    US6008104A|1999-12-28|Method of fabricating a trench capacitor with a deposited isolation collar
    US6207494B1|2001-03-27|Isolation collar nitride liner for DRAM process improvement
    DE19912220B4|2005-07-07|Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    EP0703625B1|2004-06-09|Tiefgraben-DRAM-Prozess auf SOI für DRAM-Zelle niedrigen Leckstromes
    US6472266B1|2002-10-29|Method to reduce bit line capacitance in cub drams
    KR0135783B1|1998-04-24|고성능 복합 필러 dRAM 셀 및 이의 형성 방법
    US5707885A|1998-01-13|Method for manufacturing a vertical transistor having a storage node vertical transistor
    US4830978A|1989-05-16|Dram cell and method
    JP4880240B2|2012-02-22|ＳｉＧｅを利用したトレンチキャパシタ及びその形成方法
    US6177696B1|2001-01-23|Integration scheme enhancing deep trench capacitance in semiconductor integrated circuit devices
    US6187624B1|2001-02-13|Method for making closely spaced capacitors with reduced parasitic capacitance on a dynamic random access memory | device
    TWI253171B|2006-04-11|Method for making radom access memory capacitors in shallow trench isolation
    TW448564B|2001-08-01|A trench capacitor with isolation collar and corresponding manufacturing method
    US6566177B1|2003-05-20|Silicon-on-insulator vertical array device trench capacitor DRAM
    US6326261B1|2001-12-04|Method of fabricating a deep trench capacitor
    US6967136B2|2005-11-22|Method and structure for improved trench processing
    CN102074572B|2013-01-30|集成电路结构
    US6018174A|2000-01-25|Bottle-shaped trench capacitor with epi buried layer
    KR100566469B1|2006-03-31|반도체 디바이스 형성 방법
    US6184549B1|2001-02-06|Trench storage dynamic random access memory cell with vertical transfer device
    US6232171B1|2001-05-15|Technique of bottle-shaped deep trench formation
    US5521114A|1996-05-28|Trench sidewall structure
    DE19930748C2|2001-05-17|Verfahren zur Herstellung von EEPROM- und DRAM-Grabenspeicherzellbereichen auf einem Chip
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US20050006686A1|2005-01-13|
    JP2004241687A|2004-08-26|
    US20060141701A1|2006-06-29|
    DE102004006028B4|2011-11-10|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2004-08-26| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2011-06-30| R018| Grant decision by examination section/examining division|
    2011-07-28| R079| Amendment of ipc main class|Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027108000 Ipc: H01L0021824200 Effective date: 20110608 Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027108000 Ipc: H01L0021824200 |
    2012-05-16| R020| Patent grant now final|Effective date: 20120211 |
    2013-12-12| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|Effective date: 20130903 |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    [返回顶部]